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VS-C08ET07T-M3
单二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
VS-C08ET07T-M3
单二极管产品简介：DIODE SIL CARB 650V 8A TO220AC
VS-C08ET07T-M3 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：-
- 包装：管件
- 产品状态：停产
- 技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
- 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
- 电流 - 平均整流 (Io)：8A
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.8 V @ 8 A
- 速度：快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
- 反向恢复时间 (trr)：-
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：45 μA @ 650 V
- 不同?Vr、F 时电容：355pF @ 1V，1MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-2
- 供应商器件封装：TO-220AC
- 工作温度 - 结：-55°C ~ 175°C