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VP2020L
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
VP2020L
MOSFET产品简介：MOSFET 200V 0.12A 0.8W
VP2020L 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 晶体管极性：P-Channel
- 汲极/源极击穿电压：- 200 V
- 闸/源击穿电压：+/- 20 V
- 漏极连续电流：- 0.12 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-92
- 封装：Reel
- 下降时间：8 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：0.8 W
- 上升时间：8 ns
- 工厂包装数量：500
- 典型关闭延迟时间：18 ns
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