您好，欢迎来到知芯网
搜索
热门搜索：
发布采购

VEMT3700F-GS08

Phototransistors
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors 70V 100mW 850nm
  • 参考价格：￥2.02-￥4.00

更新日期：2024-04-01 00:04:00

VEMT3700F-GS08

Phototransistors

产品简介：Phototransistors 70V 100mW 850nm

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors 70V 100mW 850nm
  • 参考价格：￥2.02-￥4.00

VEMT3700F-GS08 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

VEMT3700F-GS08 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：Phototransistors
  • 最大功率耗散：100 mW
  • 封装 / 箱体：PLCC-2
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：70 V
  • 集电极—射极饱和电压：0.15 V
  • 下降时间：2 us
  • 最大工作温度：+ 100 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 封装：Reel
  • 产品：Phototransistor
  • 上升时间：6 us
  • 工厂包装数量：7500
  • 波长：940 nm

VEMT3700F-GS08 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
VEMT3700F-GS08

Phototransistor 940nm Top View 2-LCC (J-Lead)

 6页,126K 查看

VEMT3700F-GS08 相关产品

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9