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VEC2611-TL-E
MOSFET 晶体管更新日期：2024-04-01 00:04:00
VEC2611-TL-E
MOSFET 晶体管VEC2611-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：35（N 通道）ns，65（P 通道）ns
- 典型接通延迟时间：13（N 通道）ns, 15（P 通道）ns
- 典型栅极电荷@Vgs：6.5 nC @ -4.5 V（P 沟道），8.8 nC @ 4 V（N 沟道）
- 典型输入电容值@Vds：280 pF @ 10 V（N 沟道），450 pF @-6 V（P 沟道）
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：2.3mm
- 封装类型：VEC 8
- 尺寸：2.9 x 2.3 x 0.75mm
- 引脚数目：8
- 最大功率耗散：1 W
- 最大栅源电压：±10（N 通道）V，±8（P 通道）V
- 最大漏源电压：-12（P 通道）V，20（N 通道）V
- 最大漏源电阻值：116（N 通道）mΩ，265（P 通道）mΩ
- 最大连续漏极电流：-2.6（P 通道）A，3（N 通道）A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：N，P
- 配置：双、双漏极
- 长度：2.9mm
- 高度：0.75mm
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