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VEC2610-TL-E
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB5.50-RMB6.95
更新日期：2024-04-01 00:04:00
VEC2610-TL-E
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB5.50-RMB6.95
VEC2610-TL-E 供应商
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VEC2610-TL-E 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：50（N 通道）ns，77（P 通道）ns
- 典型接通延迟时间：13（P 通道）ns，15（N 通道）ns
- 典型栅极电荷@Vgs：7.6 nC @ 10 V（N 沟道），8.2 nC @ -4.5 V（P 沟道）
- 典型输入电容值@Vds：570 pF V @ 10 V（N 通道），680 pF V @ -10 V（P 通道）
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：2.3mm
- 封装类型：VEC 8
- 尺寸：2.9 x 2.3 x 0.75mm
- 引脚数目：8
- 最大功率耗散：1 W
- 最大栅源电压：±10 V
- 最大漏源电压：20（N 通道）V，-20（P 通道）V
- 最大漏源电阻值：205（P 通道）mΩ，80（N 通道）mΩ
- 最大连续漏极电流：-3（P 通道）A，4.5（N 通道）A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：通用
- 通道模式：增强
- 通道类型：N，P
- 配置：双、双漏极
- 长度：2.9mm
- 高度：0.75mm
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