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VDZFHT2R9.1B
单齐纳二极管更新日期：2024-04-01 00:04:00
VDZFHT2R9.1B
单齐纳二极管产品简介：DIODE ZENER 9.04V 100MW VMD2
VDZFHT2R9.1B 中文资料属性参数
- 现有数量：0现货
- 价格：停产
- 系列：Automotive, AEC-Q101
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：停产
- 电压 - 齐纳（标称值）(Vz)：9.04 V
- 容差：±2.1%
- 功率 - 最大值：100 mW
- 阻抗（最大值）(Zzt)：30 Ohms
- 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：500 nA @ 6 V
- 不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：-
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：SOD-723
- 供应商器件封装：VMD2