V62/16601-01XE

Texas Instruments 存储器

更新日期：2024-04-01 00:04:00

V62/16601-01XE

Texas Instruments 存储器

产品简介：增强型产品完整 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器电源解决方案同步降压控制器

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V62/16601-01XE 中文资料属性参数

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价格：3,000 : ￥17.91500卷带（TR）
系列：*
包装：卷带（TR）
产品状态：在售
存储器类型：-
存储器格式：-
技术：-
存储容量：-
存储器组织：-
存储器接口：-
时钟频率：-
写周期时间 - 字，页：-
访问时间：-
电压 - 供电：-
工作温度：-
安装类型：-
封装/外壳：-
供应商器件封装：-

产品特性

同步降压控制器 (VDDQ) 转换电压范围：3 至 28 V 输出电压范围：0.7 至 1.8 V 0.8% VREF 精度 D-CAP™ 模式，可实现快速瞬态响应可选 300kHz/400kHz 开关频率自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率支持 S4/S5 状态下的软关闭 OCL/OVP/UVP/UVLO 保护电源正常输出
转换电压范围：3 至 28 V
输出电压范围：0.7 至 1.8 V
0.8% VREF 精度
D-CAP™ 模式，可实现快速瞬态响应
可选 300kHz/400kHz 开关频率
自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
支持 S4/S5 状态下的软关闭
OCL/OVP/UVP/UVLO 保护
电源正常输出
2A LDO (VTT)、缓冲基准 (VTTREF) 2A（峰值）灌电流和拉电流只需 10µF 陶瓷输出电容经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出 0.8% VTTREF，20mV VTT 精度在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持软关闭
2A（峰值）灌电流和拉电流
只需 10µF 陶瓷输出电容
经缓冲的低噪声 10mA VTTREF 输出
0.8% VTTREF，20mV VTT 精度
在 S3 下支持高阻抗，在 S4/S5 下支持软关闭
热关断
20 引脚 3mm × 3mm WQFN 封装
支持国防、航天和医疗应用受控基线一个组装/测试基地一个制造基地支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围，(1) 延长了产品生命周期延长了产品变更通知产品可追溯性
受控基线
一个组装/测试基地
一个制造基地
支持军用（-55°C 至 125°C）温度范围，(1)
延长了产品生命周期
延长了产品变更通知
产品可追溯性

产品概述

TPS51216-EP 以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3 和 DDR3L 存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流/拉电流跟踪 LDO (VTT) 和缓冲低噪声基准 (VTTREF) 相集成。TPS51216-EP 采用 D-CAP™ 模式与 300kHz/400kHz 频率相结合，以实现易用性和快速瞬态响应。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于 0.8%。能够提供 2A 灌电流/拉电流峰值电流功能的 VTT 只需 10µF 的陶瓷电容器。此外，还提供专用的 LDO 电源输入。TPS51216-EP 提供丰富、实用的功能以及出色的电源性能。它支持灵活功率级控制，将 VTT 置于高阻抗状态（处于 S3）并在 S4/S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF 进行放电（软关闭）。

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V62/16601-01XE 电路图

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