V62/12602-01XE

Texas Instruments 存储器

更新日期：2024-04-01 00:04:00

V62/12602-01XE

Texas Instruments 存储器

产品简介：增强型产品 DDR1、DDR2、DDR3 转换开关和 LDO

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V62/12602-01XE 中文资料属性参数

现有数量：0现货2,000Factory查看交期
价格：2,000 : ￥30.17914卷带（TR）
系列：*
包装：卷带（TR）
产品状态：在售
存储器类型：-
存储器格式：-
技术：-
存储容量：-
存储器组织：-
存储器接口：-
时钟频率：-
写周期时间 - 字，页：-
访问时间：-
电压 - 供电：-
工作温度：-
安装类型：-
封装/外壳：-
供应商器件封装：-

产品特性

同步降压控制器 (VDDQ) 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式电流模式选项支持陶瓷输出电容器支持 S4/S5 状态内的软关闭 RDS（接通）或电阻器的电流感测 2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可调节至 1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或0.75V 至 3.0V 的输出电压范围配备有电源正常、过压保护和欠压保护
宽输入电压范围: 3.0V 至 28V
负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式
电流模式选项支持陶瓷输出电容器
支持 S4/S5 状态内的软关闭
RDS（接通）或电阻器的电流感测
2.5V (DDR)，1.8V (DDR2)，可调节至 1.5V (DDR3) 或 1.2V (LPDDR3) 或0.75V 至 3.0V 的输出电压范围
配备有电源正常、过压保护和欠压保护
1A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF) 灌电流和拉电流的能力达到 1A 提供 LDO 输入以优化功率损耗只需 20μF 陶瓷输出电容器经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭过热保护
灌电流和拉电流的能力达到 1A
提供 LDO 输入以优化功率损耗
只需 20μF 陶瓷输出电容器
经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出
针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭
过热保护

产品概述

TPS51116 为 DDR/SSTL-2，DDR2/SSTL-18，DDR3/SSTL-15 和 LPDDR3 内存系统提供一个完整的电源。它集成了一个具有 1A 灌电流/拉电流跟踪线性稳压器和经缓冲低噪声基准的同步降压控制器。 TPS51116 在空间非常宝贵的系统中提供最低的总体解决方案成本。 TPS51116 同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz，伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 模式中进行配置，此模式可简化使用并实现最快瞬态响应或者在电流模式中支持陶瓷输出电容器。 1A 灌电流/拉电流 LDO 只需 20μF (2 × 10μF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。 TPS51116 支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ，VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。 TPS51116 具有所有保护特性，其中包括热关断并采用 20 引脚散热薄型小外形尺寸 (HTSSOP) PowerPAD 封装。

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