V62/04734-02XE

Texas Instruments 逻辑集成电路

RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：Gates (AND / NAND / OR / NOR) Mil Enh Sgl 2-Inp Pos-OR Gate
参考价格：￥2.91-￥3.40

更新日期：2024-04-01

V62/04734-02XE

Texas Instruments 逻辑集成电路

产品简介：单通道、双输入、1.65V 至 5.5V、32mA 驱动强度或门（增强型产品）

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RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：Gates (AND / NAND / OR / NOR) Mil Enh Sgl 2-Inp Pos-OR Gate
参考价格：￥2.91-￥3.40

V62/04734-02XE 中文资料属性参数

制造商：Texas Instruments
产品种类：门（与/非与/或/非或）
产品：OR
逻辑系列：LVC
栅极数量：1
线路数量（输入/输出）：2 / 1
高电平输出电流：- 32 mA
低电平输出电流：32 mA
传播延迟时间：5.7 ns
Supply Voltage - Max：5.5 V
Supply Voltage - Min：1.65 V
最大工作温度：+ 125 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：SC-70
封装：Reel
最小工作温度：- 55 C
输入线路数量：2
输出线路数量：1
工厂包装数量：3000

产品特性

Controlled BaselineOne Assembly/Test Site, One Fabrication Site
One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
Extended Temperature Performance of -55°C to 125°C
Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
Enhanced Product-Change Notification
Qualification Pedigree(1)
Supports 5-V VCC Operation
Inputs Accept Voltages to 5.5 V
Max tpd of 3.6 ns at 3.3 V
Low Power Consumption, 10 µA Max ICC
±24-mA Output Drive at 3.3 V
Ioff Supports Partial Power Down Mode Operation
Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
ESD Protection Exceeds JESD 222000-V Human-Body Model (A114-A)200-V Machine Model (A115-A)1000-V Charged-Device Model (C101)
2000-V Human-Body Model (A114-A)
200-V Machine Model (A115-A)
1000-V Charged-Device Model (C101)

产品概述

This single 2-input positive-OR gate is designed for 1.65-V to 5.5-V VCC operation.The SN74LVC1G32 performs the Boolean function Y = A + B or Y = A\ • B\ in positive logic.This device is fully specified for partial power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

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