V62/04688-01XE

Texas Instruments 逻辑集成电路

RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：Gates (AND / NAND / OR / NOR) Mil Enh Tr 3-Inp Pos-NAND Gates
参考价格：￥1.81-￥2.17

更新日期：2024-04-01 00:04:00

V62/04688-01XE

Texas Instruments 逻辑集成电路

产品简介：Enhanced product 3-ch, 3-input, 2-V to 6-V 5.2 mA drive strength NAND gate

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RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：Gates (AND / NAND / OR / NOR) Mil Enh Tr 3-Inp Pos-NAND Gates
参考价格：￥1.81-￥2.17

V62/04688-01XE 中文资料属性参数

制造商：Texas Instruments
产品种类：门（与/非与/或/非或）
产品：NAND
逻辑系列：HC
栅极数量：3
线路数量（输入/输出）：3 / 1
高电平输出电流：- 5.2 mA
低电平输出电流：5.2 mA
传播延迟时间：95 ns
Supply Voltage - Max：6 V
Supply Voltage - Min：2 V
最大工作温度：+ 125 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：SOIC-14
封装：Reel
最小工作温度：- 40 C
输入线路数量：3
输出线路数量：1
工厂包装数量：2500

产品特性

Controlled Baseline One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
Extended Temperature Performance of –40°C to 125°C
Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
Enhanced Product-Change Notification
Qualification Pedigree
Wide Operating Voltage Range of 2 V to 6 V
Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads
Low Power Consumption, 20-µA Max ICC
Typical tpd = 9 ns
±4-mA Output Drive at 5 V
Low Input Current of 1 µA Max

产品概述

The SN74HC10 device contains three independent 3-input NAND gates. It performs the Boolean function Y = (A • B • C)\ or Y = A\ + B\ + C\ in positive logic.

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