V62/04655-02XE

Texas Instruments 逻辑集成电路

RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：Gates (AND / NAND / OR / NOR) EP Quad 2-Inp Pos- And Gate
参考价格：￥1.99-￥2.33

更新日期：2024-04-01 00:04:00

V62/04655-02XE

Texas Instruments 逻辑集成电路

产品简介：增强型产品、4 通道、2 输入、2V 至 3.6V 与门

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RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：Gates (AND / NAND / OR / NOR) EP Quad 2-Inp Pos- And Gate
参考价格：￥1.99-￥2.33

V62/04655-02XE 中文资料属性参数

制造商：Texas Instruments
产品种类：门（与/非与/或/非或）
产品：AND
逻辑系列：LVC
栅极数量：Quad
线路数量（输入/输出）：2 / 1
高电平输出电流：- 24 mA
低电平输出电流：24 mA
传播延迟时间：4.8 ns
Supply Voltage - Max：3.6 V
Supply Voltage - Min：2 V
最大工作温度：+ 125 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：SOIC-14
封装：Reel
最小工作温度：- 55 C
输入线路数量：2
输出线路数量：1
工厂包装数量：2500

产品特性

Controlled BaselineOne AssemblyOne Test SiteOne Fabrication Site
One Assembly
One Test Site
One Fabrication Site
Extended Temperature Performance of -40°C to 125°C and -55°C to 125°C
Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
Enhanced Product-Change Notification
Qualification Pedigree(1)
ESD Protection Exceeds 2000 V Per MIL-STD-883, Method 3015; Exceeds 200 V Using Machine Model (C = 200 pF, R = 0)
Operates From 1.65 V to 3.6 V
Inputs Accept Voltages to 5.5 V
Max tpd of 4.1 ns at 3.3 V
Typical VOLP (Output Ground Bounce) <0.8 V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C
Typical VOHV (Output VOH Undershoot) >2 V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C

产品概述

The SN74LVC08A quadruple 2-input positive-AND gate is designed for 2.7-V to 3.6-V VCC operation.The device performs the Boolean function Y = A • B or Y = A\ + B\ in positive logic.Inputs can be driven from either 3.3 V or 5 V devices. This feature allows the use of this device as a translator in a mixed 3.3 V/5 V system environment.

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