V62/03660-01XE

Texas Instruments 逻辑集成电路

RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：Gates (AND / NAND / OR / NOR) Mil Enh Quad 2-Inp Pos-AND Gate
参考价格：￥1.95-￥5.45

更新日期：2024-04-01 00:04:00

V62/03660-01XE

Texas Instruments 逻辑集成电路

产品简介：增强型产品、4 通道、2 输入、2V 至 5.5V 与门

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RoHS：
• 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
• 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
• 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
• 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
• 多溴联苯(PBB)0.10%
• 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
说明：Gates (AND / NAND / OR / NOR) Mil Enh Quad 2-Inp Pos-AND Gate
参考价格：￥1.95-￥5.45

V62/03660-01XE 中文资料属性参数

制造商：Texas Instruments
产品种类：门（与/非与/或/非或）
产品：AND
逻辑系列：LV
栅极数量：4
线路数量（输入/输出）：2 / 1
高电平输出电流：- 12 mA
低电平输出电流：12 mA
传播延迟时间：12.3 ns
Supply Voltage - Max：5.5 V
Supply Voltage - Min：2 V
最大工作温度：+ 105 C
安装风格：SMD/SMT
封装 / 箱体：TSSOP-14
封装：Reel
最小工作温度：- 40 C
输入线路数量：2
输出线路数量：1
工厂包装数量：2000

产品特性

Controlled Baseline One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
Extended Temperature Performance of -55°C to 125°C
Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
Enhanced Product-Change Notification
Qualification Pedigree(1)
Typical VOLP (Output Ground Bounce) <0.8 V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C
Typical VOHV (Output VOH Undershoot) >2.3 V at VCC = 3.3 V, TA = 25°C
Supports Mixed-Mode Voltage Operation on All Ports
Ioff Supports Partial-Power-Down Mode Operation
Latch-Up Performance Exceeds 250 mA Per JESD 17
ESD Protection Exceeds JESD 22 2000-V Human-Body Model (A114-A) 200-V Machine Model (A115-A) 1000-V Charged-Device Model (C101)
2000-V Human-Body Model (A114-A)
200-V Machine Model (A115-A)
1000-V Charged-Device Model (C101)

产品概述

This quadruple 2-input positive-AND gate is designed for 2-V to 5.5-V VCC operation.The SN74LV08A-EP performs the Boolean function Y = A • B or Y = (A\ + B\)\ in positive logic.This device is fully specified for partial-power-down applications using Ioff. The Ioff circuitry disables the outputs, preventing damaging current backflow through the device when it is powered down.

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