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US6T8TR
双极晶体管阵列更新日期：2024-04-01 00:04:00
US6T8TR
双极晶体管阵列产品简介：PNP+PNP DRIVER TRANSISTOR
US6T8TR 中文资料属性参数
- 现有数量：2,906现货
- 价格：1 : ￥4.61000剪切带（CT）3,000 : ￥1.83285卷带（TR）
- 系列：-
- 包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel? 得捷定制卷带
- 产品状态：在售
- 晶体管类型：2 PNP（双）
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：1.5A
- 电压 - 集射极击穿（最大值）：12V
- 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 25mA，500mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
- 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：270 @ 200mA，2V
- 功率 - 最大值：400mW
- 频率 - 跃迁：400MHz
- 工作温度：150°C（TJ）
- 安装类型：表面贴装型
- 封装/外壳：6-SMD，扁平引线
- 供应商器件封装：TUMT6