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UNR211D0
数字晶体管更新日期：2024-04-01
UNR211D0
数字晶体管UNR211D0 中文资料属性参数
- 典型电阻比：4.7
- 典型输入电阻器：47 k
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：1.5mm
- 封装类型：Mini3 G1
- 尺寸：2.9 x 1.5 x 1.1mm
- 引脚数目：3
- 晶体管类型：PNP
- 最大功率耗散：200 mW
- 最大连续集电极电流：-100 mA
- 最大集电极-发射极电压：-50 V
- 最大集电极-发射极饱和电压：-0.25 V
- 最小直流电流增益：30
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 配置：单
- 长度：2.9mm
- 高度：1.1mm
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