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TSM2N7000CT

Taiwan Semiconductor MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 60V 0.2A 0.35W

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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TSM2N7000CT

Taiwan Semiconductor MOSFET

产品简介：MOSFET 60V 0.2A 0.35W

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET 60V 0.2A 0.35W

TSM2N7000CT 中文资料属性参数

  • 制造商：Taiwan Semiconductor
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：0.2 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：5300 mOhms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-92-3
  • 封装：Ammo
  • 下降时间：10 ns
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：350 mW
  • 上升时间：10 ns
  • 工厂包装数量：2000
  • 零件号别名：A3

TSM2N7000CT 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
TSM2N7000CTA3

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

 3 Pages页,127K 查看
TSM2N7000CTB0

60V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

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