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TPS73701DRBR

Texas Instruments PMIC - 稳压器 - 线性
  • 封装：8-VDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.894-$1.91

更新日期：2024-04-01

TPS73701DRBR

Texas Instruments PMIC - 稳压器 - 线性

产品简介：具有反向电流保护和使能功能的 1A 超低压降稳压器

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  • 封装：8-VDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：Digi-Reel®
  • 参考价格：$0.894-$1.91

TPS73701DRBR 供应商

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TPS73701DRBR 中文资料属性参数

  • 标准包装：1
  • 类别：集成电路 (IC)
  • 家庭：PMIC - 稳压器 - 线性
  • 系列：-
  • 稳压器拓扑结构：正，可调式
  • 输出电压：1.2 V ~ 5.5 V
  • 输入电压：2.2 V ~ 5.5 V
  • 电压 - 压降（标准）：0.13V @ 1A
  • 稳压器数量：1
  • 电流 - 输出：1A（最小值）
  • 电流 - 限制（最小）：1.05A
  • 工作温度：-40°C ~ 125°C
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON 裸露焊盘（3x3）
  • 包装：Digi-Reel®
  • 其它名称：296-22065-6

产品特性

  • 与 1µF 或更大的陶瓷输出电容器一起工作时保持稳定
  • 输入电压范围：2.2V 至 5.5V
  • 超低压降电压 传统器件：1A 时典型值为 130mV 新器件，M3 后缀：1A 时典型值为 122mV
  • 传统器件：1A 时典型值为 130mV
  • 新器件，M3 后缀：1A 时典型值为 122mV
  • 即使使用仅为 1µF 的输出电容器，也能实现出色的负载瞬态响应
  • NMOS 拓扑可提供低反向漏电流
  • 初始精度：1%
  • 在线路、负载和温度范围内总精度 传统器件：3% 新器件，M3 后缀：1.5%
  • 传统器件：3%
  • 新器件，M3 后缀：1.5%
  • 关断模式下，IQ 典型值小于 20nA
  • 通过热关断和电流限制实现故障保护
  • 提供了多个输出电压版本： 可调输出：1.20V 至 5.5V 使用工厂封装级编程，可提供定制输出
  • 可调输出：1.20V 至 5.5V
  • 使用工厂封装级编程，可提供定制输出

产品概述

TPS737 线性低压降 (LDO) 稳压器在电压跟随器配置中使用 NMOS 导通晶体管。该拓扑对输出电容值和等效串联电阻 (ESR) 的敏感度相对较低，从而实现多种负载配置。负载瞬态响应出色，即使与 1µF 小型陶瓷输出电容搭配工作时也是如此。NMOS 拓扑也可实现超低压降。TPS737 利用先进的 BiCMOS 工艺实现高精度，同时提供超低的压降电压和低接地引脚电流。带有 M3 后缀的器件型号采用依托最新 TI 工艺技术的更新设计。未启用时的电流消耗小于 20nA，适用于便携式应用。该器件受到热关断和折返电流限制的保护。对于需要更高输出电压精度的应用，请考虑 TI 的 TPS7A37 1% 总精度、1A 低压降稳压器。
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TPS73701DRBR 电路图

TPS73701DRBR 电路图

TPS73701DRBR 电路图

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