- 封装:20-VFQFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel®
- 参考价格:$5.73-$7.74
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:适用于 DDR 内存终端的低输入电压、6A 同步降压 SWIFT™ 转换器
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- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel®
- 参考价格:$5.73-$7.74
TPS53317RGBT 供应商
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TI(德州仪器)
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VQFN-20
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23+ -
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合肥
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TPS53317RGBT 中文资料属性参数
- 标准包装:1
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:PMIC - 稳压器 - DC DC 开关稳压器
- 系列:D-Cap+™
- 类型:降压(降压)
- 输出类型:可调式
- 输出数:1
- 输出电压:0.6 V ~ 2 V
- 输入电压:1 V ~ 6 V
- PWM 型:混合物
- 频率 - 开关:600kHz,1MHz
- 电流 - 输出:6A
- 同步整流器:是
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-VFQFN 裸露焊盘
- 包装:®
- 供应商设备封装:20-VQFN(3.5x4.0)
- 其它名称:296-28931-6
产品特性
- 采用 TI 专有的集成金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) 和封装技术
- 支持 DDR 内存终止,具有高达 6A 的持续输出源电流或者吸收电流
- 外部跟踪
- 最少的外部组件数
- 1V 至 6V 转换电压
- D-CAP+ 模式架构
- 支持所有多层片式陶瓷输出电容器和 SP/POSCAP
- 可选跳跃 (SKIP) 模式或者强制 CCM
- 轻量级负载与重负载下的优化效率
- 可选 600kHz 或者1MHz 开关频率
- 可选过流限制 (OCL)
- 过压、过热和断续欠压保护
- 可调输出电压范围为 0.6V 至 2V
- 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装
- 用于 DDR、DDR2、DDR3 和 DDR4 的存储器终端稳压器
- VTT 终止
- 用于 1V 至 6V 输入电源轨的低电压应用
产品概述
TPS53317 器件是一款设计为主要用于 DDR 终端的集成场效应晶体管 (FET) 同步降压稳压器。 它能够提供一个值为 ½ VDDQ的经稳压输出,此输出具有吸收电流和源电流功能。 TPS53317 器件采用 D-CAP+ 运行模式,简单易用,所需外部组件数较少并可提供快速瞬态响应。 该器件还可用于其他电流要求高达 6A 的负载点 (POL) 稳压应用。此外,该器件支持具有严格电压调节功能的 6A 完整灌电流输出。该器件具有两种开关频率设定值(600kHz 和 1MHz),可提供集成压降支持、外部跟踪功能、预偏置启动、输出软放电、集成自举开关、电源正常功能、V5IN 引脚欠压锁定 (UVLO) 保护功能,支持采用陶瓷和 SP/POSCAP 电容。 该器件支持的输入电压最高可达 6V,而输出电压在 0.6V 至 2.0V 范围内可调。TPS53317 器件采用 3.5mm × 4mm 20 引脚超薄四方扁平无引线 (VQFN) 封装(绿色环保,符合 RoHS 标准并且无铅),其中应用了 TI 专有的集成 MOSFET 和封装技术,其额定运行温度范围为 –40°C 至 85°C。
TPS53317RGBT 电路图

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