- 封装:20-WFQFN 裸露焊盘
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel®
- 参考价格:$1.44-$2.88
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:DDR2/3/3L/4 存储器电源解决方案同步降压控制器
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- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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TPS51916RUKR 中文资料属性参数
- 标准包装:1
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:PMIC - 稳压器 - 专用型
- 系列:D-Cap™, D-Cap2™
- 应用:控制器,DDR2,DDR3,DDR3L
- 输入电压:3 V ~ 28 V
- 输出数:2
- 输出电压:0.7 V ~ 1.8 V
- 工作温度:-40°C ~ 85°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:20-WFQFN 裸露焊盘
- 供应商设备封装:20-QFN 裸露焊盘(3x3)
- 包装:®
- 其它名称:296-29489-6
产品特性
- 同步降压控制器 (VDDQ) 转换电压范围:3V 至 28V 输出电压范围:0.7V 至 1.8V0.8% VREF精度可选控制架构D-CAP™模式,可实现快速瞬态响应D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式可选 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 开关频率自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率 支持 S4 和 S5 状态下的软关闭过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护电源正常输出
- 转换电压范围:3V 至 28V
- 输出电压范围:0.7V 至 1.8V
- 0.8% VREF精度
- 可选控制架构D-CAP™模式,可实现快速瞬态响应D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
- D-CAP™模式,可实现快速瞬态响应
- D-CAP2™针对陶瓷输出电容器的模式
- 可选 300kHz、400kHz、500kHz 或 670kHz 开关频率
- 自动跳过功能优化了轻负载和重负载时的效率
- 支持 S4 和 S5 状态下的软关闭
- 过流 (OCL) / 过压 (OVP) / 欠压 (UVP) / 欠压闭锁 (UVLO) 保护
- 电源正常输出
- 2A LDO (VTT),缓冲基准 (VTTREF) 2A(峰值)灌电流和拉电流 经缓冲的,低噪声,10mA VTTREF 输出0.8% VTTREF,20mV VTT 精度支持高阻抗 (S3) 和软关闭(S4、S5)
- 2A(峰值)灌电流和拉电流
- 经缓冲的,低噪声,10mA VTTREF 输出
- 0.8% VTTREF,20mV VTT 精度
- 支持高阻抗 (S3) 和软关闭(S4、S5)
- 热关断
- 20 引脚,3mm x 3mm,四方扁平无引线 (QFN) 封装
- 创建 WEBENCH 设计
产品概述
TPS51916 器件能够以最少总成本和最小空间为 DDR2、DDR3、DDR3L 和 DDR4
存储器系统提供完整的电源。它将同步降压稳压器控制器 (VDDQ) 与 2A 灌电流和 2A 拉电流跟踪 LDO
(VTT) 以及缓冲低噪声基准 (VTTREF) 集成在一起。 该器件采用耦合了 300kHz 或 400kHz 频率的 D-CAP™ 模式,以实现易于使用且快速的瞬态响应,或采用耦合了更高的
500kHz 或 670kHz 频率的 D-CAP2™ 模式,以在无需外部补偿电路的情况下支持陶瓷输出电容器。VTTREF 跟踪 VDDQ/2 的精度优于
0.8%。能够提供 2A 灌电流和 2A 拉电流峰值电流功能的 VTT 只需
10µF 的陶瓷电容。提供专用的 LDO 电源输入。该器件还可以提供卓越的电源性能。它支持灵活功率级控制,将 VTT 置于高阻抗状态(处于 S3)并在 S4 或 S5 状态下对 VDDQ、VTT 和 VTTREF
进行放电(软关闭)。它还提供具有低侧 MOSFET RDS(on) 检测功能的可编程 OCL、OVP、UVP、UVLO
以及热关断保护。.
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