TPS51116PWPR

同步降压控制器 (VDDQ) 宽输入电压范围: 3.0V 至 28V 负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式电流模式选项支持陶瓷输出电容器支持 S4/S5 状态内的软关闭利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测 2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或输出范围 0.75V 至 3.0V 配备有电源正常、过压保护和欠压保护
宽输入电压范围: 3.0V 至 28V
负载阶跃响应为 100ns 的 D−CAP™ 模式
电流模式选项支持陶瓷输出电容器
支持 S4/S5 状态内的软关闭
利用RDS(on) 或电阻器进行电流检测
2.5V (DDR)、1.8V (DDR2)，可调节至1.5V (DDR3)、1.35V (DDR3L)、1.2V（LPDDR3 和 DDR4）或输出范围 0.75V 至 3.0V
配备有电源正常、过压保护和欠压保护
3A LDO (VTT)，经缓冲基准 (VREF) 拉电流和灌电流的能力达到 3A 提供 LDO 输入以优化功率损耗只需 20µF 陶瓷输出电容器经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭热关断
拉电流和灌电流的能力达到 3A
提供 LDO 输入以优化功率损耗
只需 20µF 陶瓷输出电容器
经缓冲的低噪声 10mA VREF 输出
针对 VREF 和 VTT 的 ±20mV 精度
在 S3 中支持高阻抗 (high-Z)，在 S4/S5 中支持软关闭
热关断

产品概述

TPS51116 提供一个用于 DDR/SSTL-2、DDR2/SSTL-18、DDR3/SSTL-15、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 内存系统的完整电源。它集成了一个具有 3A 拉电流/灌电流跟踪线性稳压器和经缓冲的低噪声基准的同步降压控制器。该器件在空间受限的系统中提供最低的总解决方案成本。同步控制器运行具有自适应接通时间控制的定频 400kHz、伪恒定频率脉宽调制 (PWM)，此控制可在 D-CAP 中配置™易于使用和最快瞬态响应或者电流模式以支持陶瓷输出电容器。3A 拉电流/灌电流 LDO 只需 20µF (2 × 10µF) 陶瓷输出电容器即可保持快速瞬态响应。此外，LDO 电源输入是外部可用的，这样可大大减少总体功耗。该器件支持所有睡眠状态控制，此类控制在 S3（挂起到 RAM）中将 VTT 置于 high-Z 状态并且在 S4/S5（挂起到硬盘）中将 VDDQ、VTT 和 VTTREF（软关闭）放电。该器件还具有全部保护特性，包括热关断保护，并且提供 20 引脚 HTSSOP PowerPAD™封装和 24 引脚 4 × 4 QFN 封装。

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TPS51116PWPR 数据手册

数据手册	说明	数量	操作
TPS51116PWPR	DDR1, DDR2, DDR3 Switcher and LDO 20-HTSSOP -40 to 85	41页,1.27M	查看
TPS51116PWPRG4	- Controller, DDR Voltage Regulator IC 1 Output 20-HTSSOP	45页,1.34M	查看

TPS51116PWPR 电路图

IC 索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9

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产品特性

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