- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel®
- 参考价格:$0.8493-$1.82
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:具有 8V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器
查看详情- 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:Digi-Reel®
- 参考价格:$0.8493-$1.82
TPS28226DR 供应商
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TPS28226DR 中文资料属性参数
- 标准包装:1
- 类别:集成电路 (IC)
- 家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
- 系列:-
- 配置:高端和低端,同步
- 输入类型:PWM
- 延迟时间:-
- 电流 - 峰:2A
- 配置数:1
- 输出数:2
- 高端电压 - 最大(自引导启动):33V
- 电源电压:6.8 V ~ 8.8 V
- 工作温度:-40°C ~ 125°C
- 安装类型:表面贴装
- 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商设备封装:8-SOIC
- 包装:®
- 其它名称:296-22853-6
产品特性
- 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
- 宽栅极驱动电压:4.5V 至最高 8.8V,7V 至 8V 时效率最佳
- 动力总成系统宽输入电压:3V 至最高 27V
- 宽输入 PWM 信号:2.0V 至最高 13.2V 幅值
- 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
- 高频运行:14ns 传播延迟和 10ns 上升/下降时间支持 2MHz 的 FSW
- 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
- 低侧驱动器(灌入)导通电阻 (0.4Ω) 可防止与 dV/dT 相关的击穿电流
- 三态 PWM 输入可实现电源级关断
- 通过同一引脚支持使能(输入)和电源正常(输出)信号来节省空间
- 热关断
- UVLO 保护
- 内部自举二极管
- 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
- 常见三态输入驱动器的高性能替代产品
产品概述
TPS28225 是一款高速驱动器,用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化,适用于多种高电流单相和多相直流/直流转换器。TPS28225 解决方案具有高效率和小尺寸,并提供低 EMI 发射。其高效率通过高达 8.8V 的栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流(2A 拉电流和 4A 灌电流)驱动能力实现。较低栅极驱动器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的栅极低于其阈值,并确保在高 dV/dt 相位结点转换中不会产生击穿电流。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。
TPS28226DR 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
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8-Pin High Frequency 4-Amp Sink Synchronous MOSFET Driver 8-SOIC -40 to 125 |
17页,81K | 查看 |
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IC SINK SYNC MOSFET DVR 4A 8SOIC |
39页,1.61M | 查看 |
![]() |
8-Pin High Frequency 4-Amp Sink Synchronous MOSFET Driver 8-SON -40 to 125 |
35页,1.14M | 查看 |
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IC SINK SYNC MOSFET DVR 4A 8SON |
39页,1.61M | 查看 |
TPS28226DR 电路图

TPS28226DR 电路图
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