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  • 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:Digi-Reel®
  • 参考价格:$0.8493-$1.82

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:具有 8V UVLO、用于同步整流的 4A、27V 半桥栅极驱动器

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  • 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:Digi-Reel®
  • 参考价格:$0.8493-$1.82

TPS28226DR 供应商

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TPS28226DR 中文资料属性参数

  • 标准包装:1
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列:-
  • 配置:高端和低端,同步
  • 输入类型:PWM
  • 延迟时间:-
  • 电流 - 峰:2A
  • 配置数:1
  • 输出数:2
  • 高端电压 - 最大(自引导启动):33V
  • 电源电压:6.8 V ~ 8.8 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOIC
  • 包装:®
  • 其它名称:296-22853-6

产品特性

  • 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
  • 宽栅极驱动电压:4.5V 至最高 8.8V,7V 至 8V 时效率最佳
  • 动力总成系统宽输入电压:3V 至最高 27V
  • 宽输入 PWM 信号:2.0V 至最高 13.2V 幅值
  • 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
  • 高频运行:14ns 传播延迟和 10ns 上升/下降时间支持 2MHz 的 FSW
  • 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
  • 低侧驱动器(灌入)导通电阻 (0.4Ω) 可防止与 dV/dT 相关的击穿电流
  • 三态 PWM 输入可实现电源级关断
  • 通过同一引脚支持使能(输入)和电源正常(输出)信号来节省空间
  • 热关断
  • UVLO 保护
  • 内部自举二极管
  • 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
  • 常见三态输入驱动器的高性能替代产品

产品概述

TPS28225 是一款高速驱动器,用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化,适用于多种高电流单相和多相直流/直流转换器。TPS28225 解决方案具有高效率和小尺寸,并提供低 EMI 发射。其高效率通过高达 8.8V 的栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流(2A 拉电流和 4A 灌电流)驱动能力实现。较低栅极驱动器的 0.4Ω 阻抗保持功率 MOSFET 的栅极低于其阈值,并确保在高 dV/dt 相位结点转换中不会产生击穿电流。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。

TPS28226DR 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
TPS28226DR

8-Pin High Frequency 4-Amp Sink Synchronous MOSFET Driver 8-SOIC -40 to 125

17页,81K 查看
TPS28226DR

IC SINK SYNC MOSFET DVR 4A 8SOIC

39页,1.61M 查看
TPS28226DRBT

8-Pin High Frequency 4-Amp Sink Synchronous MOSFET Driver 8-SON -40 to 125

35页,1.14M 查看
TPS28226DRBT

IC SINK SYNC MOSFET DVR 4A 8SON

39页,1.61M 查看

TPS28226DR 电路图

TPS28226DR 电路图

TPS28226DR 电路图

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