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TPS28225TDRBRQ1

Texas Instruments PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
  • 封装：8-VDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.905

更新日期：2024-04-01 00:04:00

TPS28225TDRBRQ1

Texas Instruments PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关

产品简介：具有 4V UVLO、用于同步整流的汽车类 4A、27V 半桥栅极驱动器

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  • 封装：8-VDFN 裸露焊盘
  • RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式：带卷 (TR)
  • 参考价格：$0.905

TPS28225TDRBRQ1 供应商

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TPS28225TDRBRQ1 中文资料属性参数

  • 标准包装：3,000
  • 类别：集成电路 (IC)
  • 家庭：PMIC - MOSFET，电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列：-
  • 配置：高端和低端，同步
  • 输入类型：PWM
  • 延迟时间：-
  • 电流 - 峰：6A
  • 配置数：1
  • 输出数：2
  • 高端电压 - 最大（自引导启动）：33V
  • 电源电压：4.5 V ~ 8.8 V
  • 工作温度：-40°C ~ 105°C
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：8-VDFN 裸露焊盘
  • 供应商设备封装：8-SON 裸露焊盘（3x3）
  • 包装：带卷 (TR)

产品特性

  • 符合汽车应用要求
  • 驱动两个具有 14ns 自适应死区时间的 N 沟道 MOSFET
  • 宽栅极驱动电压：4.5V 至 8.8V，在 7V 至 8V 时效率最高
  • 动力总成系统宽输入电压：3V 至 27V
  • 宽输入 PWM 信号：2V 至 13.2V 振幅
  • 能够以每相 ≥40A 的电流驱动 MOSFET
  • 高频运行：14ns 传播延迟和 10ns 上升或下降时间支持高达 2MHz 的 FSW
  • 能够传播 <30ns 的输入 PWM 脉冲
  • 低侧驱动器灌入导通电阻 (0.4Ω) 防止与 dV/dT 相关的击穿电流
  • 用于功率级关断的三态 PWM 输入
  • 通过同一引脚支持使能（输入）和电源正常（输出）信号来节省空间
  • 热关断
  • UVLO 保护
  • 内部自举二极管
  • 经济型 SOIC-8 和热增强型 3mm × 3mm VSON-8 封装
  • 常见三态输入驱动器的高性能替代产品

产品概述

TPS28225-Q1 是一款高速驱动器，用于驱动具有自适应死区时间控制的 N 沟道互补驱动功率 MOSFET。此驱动器经过优化，适用于多种高电流、单相和多相直流/直流转换器。TPS28225-Q1 是一个提供高效率、小尺寸、低 EMI 发射的解决方案。TPS28225-Q1 器件具有高性能特性，例如 8.8V 栅极驱动电压、14ns 自适应死区时间控制、14ns 广播延迟以及高电流（2A 拉电流和 4A 灌电流）驱动能力。较低栅极驱动器的0.4Ω阻抗保持功率MOSFET的栅极低于它的阈值并确保在dV/dt相位结点转换中不会产生击穿电压。由内部二极管充电的自举电容器支持在半桥配置中使用 N 沟道 MOSFET。TPS28225-Q1 采用经济型 SOIC-8 封装和耐热增强型小尺寸 VSON 封装。此驱动器的额定工作温度范围为 –40°C 至 105°C，绝对最大结温为 150°C。
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TPS28225TDRBRQ1 电路图

TPS28225TDRBRQ1 电路图

TPS28225TDRBRQ1 电路图

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