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  • 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$1.596

更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:0.8V 至 16.5V、1.2A IQ、291uA Igate 拉电流、N+1 和 OR-ing 电源轨控制器

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  • 封装:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$1.596

TPS2413DR 供应商

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TPS2413DR 中文资料属性参数

  • 标准包装:2,500
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:PMIC - O 圈控制器
  • 系列:-
  • 应用:N+1 电源,高可用性
  • FET 型:N 沟道
  • 输出数:1
  • 内部开关:
  • 延迟时间 - 开启:-
  • 延迟时间 - 关闭:130ns
  • 电源电压:3 V ~ 16.5 V
  • 电流 - 电源:4.25mA
  • 工作温度:-40°C ~ 85°C
  • 安装类型:表面贴装
  • 封装/外壳:8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装:8-SOIC
  • 包装:带卷 (TR)
  • 配用:296-31133-ND - EVAL MODULE FOR TPS2413296-31132-ND - EVAL MODULE FOR TPS2412

产品特性

  • 可控制用于 N+1 和 ORing 的外部 FET
  • 3V 至 16.5V 的宽电源电压范围
  • 控制总线电压范围为 0.8V 至 16.5V
  • 线性或开/关控制方法
  • 适用于 N 沟道 MOSFET 的内部电荷泵
  • 快速器件关断功能可保护总线完整性
  • 在热插入时进行主动栅极控制
  • 软启动可降低总线瞬变
  • 工业温度范围:–40°C 至 85°C
  • 8 引脚 TSSOP 和 SOIC 封装

产品概述

TPS2412/13 控制器与外部 N 沟道 MOSFET 配合使用,可模拟低正向电压二极管的功能。该器件可用于将多电源与 N+1 配置中的公共总线相结合,或将冗余输入电源总线进行结合。TPS2412 可提供线性启动控制功能,而 TPS2413 可提供开/关控制方法。TPS2412/13 可用于 各种系统,如服务器和电信系统。这些 应用 通常具有 N+1 冗余电源或冗余电源总线,或二者兼备。在故障和热插拔期间,冗余电源必须具有等效的二极管 OR 来防止产生反向电流。相比于肖特基二极管,TPS2412/13 和 N 沟道 MOSFET 能够以更小的功率损耗提供此功能。精确的电压感应和可编程关断阈值允许根据各种实施手段和总线特性量身定制运行方式。TPS2412/13 的引脚数更少,因此与 TPS2410/11 版本相比,特性减少。

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9