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TPCS8104(TE12L,Q,M)
MOSFET 晶体管更新日期：2024-04-01 00:04:00
TPCS8104(TE12L,Q,M)
MOSFET 晶体管TPCS8104(TE12L,Q,M) 中文资料属性参数
- 典型栅极电荷@Vgs：107 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：5710 pF V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：4.4mm
- 封装类型：TSSOP
- 尺寸：3 x 4.4 x 0.85mm
- 引脚数目：8
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1100 mW
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30 V
- 最大漏源电阻值：0.012
- 最大连续漏极电流：11 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：P
- 配置：四源、单、三漏极
- 长度：3mm
- 高度：0.85mm
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