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TPCP8401(TE85L,F,M

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET MOSFET N-CH P-CH 20V, 0.1A
  • 参考价格：￥1.88

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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TPCP8401(TE85L,F,M

MOSFET

产品简介：MOSFET MOSFET N-CH P-CH 20V, 0.1A

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET MOSFET N-CH P-CH 20V, 0.1A
  • 参考价格：￥1.88

TPCP8401(TE85L,F,M 中文资料属性参数

  • 制造商：Toshiba
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：20 V, - 12 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 10 V , +/- 8 V
  • 漏极连续电流：100 mA, - 5.5 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.5 Ohms at 4.5 V, 31 mOhms at - 4.5 V
  • 配置：Dual
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：PS
  • 封装：Reel
  • 下降时间：28 nS
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：13 S
  • 栅极电荷 Qg：20 nC
  • 最小工作温度：- 55 C
  • 功率耗散：1.96 W
  • 上升时间：9.5 nS
  • 工厂包装数量：3000
  • 典型关闭延迟时间：125 nS, 74 nS

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