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TPCF8302(TE85L,F)

MOSFET
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET PW TR P-Ch -20V -3A

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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TPCF8302(TE85L,F)

MOSFET

产品简介：MOSFET PW TR P-Ch -20V -3A

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：MOSFET PW TR P-Ch -20V -3A

TPCF8302(TE85L,F) 中文资料属性参数

  • 制造商：Toshiba
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：- 20 V
  • 闸/源击穿电压：10 V
  • 漏极连续电流：3 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.059 Ohms
  • 配置：Single Hex Drain
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：VS-8
  • 封装：Reel
  • 下降时间：17 ns
  • 功率耗散：1.35 W
  • 上升时间：6.2 ns
  • 工厂包装数量：4000

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