您好,欢迎来到知芯网

TPCA8016-H(TE12L,Q

MOSFET
  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 25A

更新日期:2024-04-01 00:04:00

暂无图片

TPCA8016-H(TE12L,Q

MOSFET

产品简介:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 25A

  • RoHS:
    • 镉(Cd)/镉化合物 0.01%
    • 六价隔(Cr6+)/六价隔化合物 0.10%
    • 铅(Pb)/铅化合物 0.10%
    • 汞(Hg)/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明:MOSFET MOSFET N-Ch 60V 25A

TPCA8016-H(TE12L,Q 中文资料属性参数

  • 制造商:Toshiba
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:25 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.021 Ohms
  • 配置:Single Quad Drain Triple Source
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:SOP-8
  • 封装:Reel
  • 下降时间:3 ns
  • 最小工作温度:- 55 C
  • 功率耗散:2.8 W
  • 上升时间:4 ns
  • 工厂包装数量:3000

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9