TPC8406-H(TE12L,Q)
MOSFET 晶体管- 参考价格:RMB5.70-RMB6.95
更新日期:2024-04-01
TPC8406-H(TE12L,Q)
MOSFET 晶体管- 参考价格:RMB5.70-RMB6.95
TPC8406-H(TE12L,Q) 中文资料属性参数
- 典型栅极电荷@Vgs:11 nC @ 10 V(N 沟道),27 nC @ 10 V(P 沟道)
- 典型输入电容值@Vds:1190 pF @ 10 V(P 沟道),650 pF @ 10 V(N 沟道)
- 安装类型:表面贴装
- 宽度:4.4mm
- 封装类型:SOP
- 尺寸:5 x 4.4 x 1.5mm
- 引脚数目:8
- 最低工作温度:-55 °C
- 最大功率耗散:1500 mW
- 最大栅源电压:±20 V
- 最大漏源电压:40 V
- 最大漏源电阻值:0.027(N 通道)Ω,0.03(P 通道)Ω
- 最大连续漏极电流:6.5 A
- 最高工作温度:+150 °C
- 每片芯片元件数目:2
- 类别:功率 MOSFET
- 通道模式:增强
- 通道类型:N,P
- 配置:双、双漏极
- 长度:5mm
- 高度:1.5mm
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