您好,欢迎来到知芯网

TPC8406-H(TE12L,Q)

MOSFET 晶体管
  • 参考价格:RMB5.70-RMB6.95

更新日期:2024-04-01

TPC8406-H(TE12L,Q)

MOSFET 晶体管
  • 参考价格:RMB5.70-RMB6.95

TPC8406-H(TE12L,Q) 中文资料属性参数

  • 典型栅极电荷@Vgs:11 nC @ 10 V(N 沟道),27 nC @ 10 V(P 沟道)
  • 典型输入电容值@Vds:1190 pF @ 10 V(P 沟道),650 pF @ 10 V(N 沟道)
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:4.4mm
  • 封装类型:SOP
  • 尺寸:5 x 4.4 x 1.5mm
  • 引脚数目:8
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:1500 mW
  • 最大栅源电压:±20 V
  • 最大漏源电压:40 V
  • 最大漏源电阻值:0.027(N 通道)Ω,0.03(P 通道)Ω
  • 最大连续漏极电流:6.5 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:2
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N,P
  • 配置:双、双漏极
  • 长度:5mm
  • 高度:1.5mm

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9