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TPC8405(Q)
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB8.95-RMB9.75
更新日期：2024-04-01 00:04:00
TPC8405(Q)
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB8.95-RMB9.75
TPC8405(Q) 中文资料属性参数
- 典型栅极电荷@Vgs：27 nC @ 10 V（N 沟道），40 nC @ 10 V（P 沟道）
- 典型输入电容值@Vds：1240 pF @ 10 V（N 沟道），1540 pF @ 10 V（P 沟道）
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：4.4mm
- 封装类型：SOP
- 尺寸：5 x 4.4 x 1.5mm
- 引脚数目：8
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1500 mW
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30 V
- 最大漏源电阻值：0.026（N 通道）Ω，0.033（P 通道）Ω
- 最大连续漏极电流：4.5（P 通道）A，6（N 通道）A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：2
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N，P
- 配置：双、双漏极
- 长度：5mm
- 高度：1.5mm
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