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TPC8032-H(TE12L,Q)
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB7.45-RMB9.50
更新日期：2024-04-01 00:04:00
TPC8032-H(TE12L,Q)
MOSFET 晶体管- 参考价格：RMB7.45-RMB9.50
TPC8032-H(TE12L,Q) 中文资料属性参数
- 典型栅极电荷@Vgs：17 nC V @ 5, 33 nC V @ 10
- 典型输入电容值@Vds：2270 pF V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 引脚数目：8
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：1900 mW
- 最大栅源电压：±20 V
- 最大漏源电压：30 V
- 最大漏源电阻值：0.007
- 最大连续漏极电流：15 A
- 最高工作温度：+150 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：四漏极、单、三源
- 高度：1.5mm
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