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更新日期:2024-04-01 00:04:00

产品简介:单路、5.5V、3MHz、低静态电流 (65μA)、RRIO 运算放大器

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TLV314IDBVT 供应商

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TLV314IDBVT 中文资料属性参数

  • 现有数量:401现货6,250Factory
  • 价格:1 : ¥7.23000剪切带(CT)250 : ¥4.52128卷带(TR)
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)? 得捷定制卷带
  • 产品状态:在售
  • 放大器类型:CMOS
  • 电路数:1
  • 输出类型:满摆幅
  • 压摆率:1.5V/μs
  • 增益带宽积:3 MHz
  • -3db 带宽:-
  • 电流 - 输入偏置:1 pA
  • 电压 - 输入补偿:750 μV
  • 电流 - 供电:150μA
  • 电流 - 输出/通道:-
  • 电压 - 跨度(最小值):1.8 V
  • 电压 - 跨度(最大值):5.5 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:SC-74A,SOT-753
  • 供应商器件封装:SOT-23-5

产品特性

  • 低偏移电压:0.75mV(典型值)
  • 低输入偏置电流:1pA(典型值)
  • 宽电源电压范围:1.8V 至 5.5V
  • 轨到轨输入和输出
  • 增益带宽:3MHz
  • 低 IQ:250µA/通道(最大值)
  • 低噪声:1kHz 时为 16nV/√Hz
  • 内部射频 (RF) / 电磁干扰 (EMI) 滤波器
  • 扩展温度范围: -40°C 至 +125°C

产品概述

TLV314 系列单通道、双通道和四通道运算放大器代表了新一代的低功耗、通用运算放大器。该系列器件具有轨到轨输入和输出摆幅 (RRIO)、低静态电流(5V 时的典型值为 150µA/通道)以及 3MHz 的高带宽等特性。 对于电池供电应用而言,一般要求性能和成本良好均衡, 此类放大器非常具有吸引力。此外,TLV314 系列架构可实现低至 1pA 的输入偏置电流,因此适用于 源阻抗 高达兆欧姆级别的应用。TLV314 器件采用稳健耐用的设计,方便电路设计人员使用:单位增益稳定,具有 RRIO 和集成的 RF/EMI 抑制滤波器,容性负载最高达 300 pF,在过驱情况下不出现反相,并且带有高静电放电 (ESD) 保护(4kV HBM)。此类器件经过优化,适合在 1.8V (±0.9V) 至 5.5V (±2.75V) 的低电压状态下工作并可在 -40°C 至 +125°C 的扩展工业温度范围内额定运行。TLV314(单通道)采用 5 引脚 SC70 和小外形尺寸晶体管 (SOT)-23 封装。TLV2314(双通道)采用 8 引脚小外形尺寸集成电路 (SOIC) 和超薄小外形尺寸 (VSSOP) 封装。四通道 TLV4314 采用 14 引脚薄型小外形尺寸 (TSSOP) 封装。

TLV314IDBVT 电路图

TLV314IDBVT 电路图

TLV314IDBVT 电路图

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9