TLV2462QDRG4Q1

Texas Instruments Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
包装方式：带卷 (TR)
参考价格：$1.215

更新日期：2024-04-01 00:04:00

TLV2462QDRG4Q1

Texas Instruments Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps

产品简介：汽车级、双路、6V、6.4MHz、RRIO 运算放大器

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封装：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
RoHS：无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
包装方式：带卷 (TR)
参考价格：$1.215

TLV2462QDRG4Q1 供应商

公司
型号
品牌
封装/批号
数量
地区
日期
说明
询价

上海三崧电子有限公司 保2千
TLV2462QDRG4Q1
TI
原厂原装
22+
3288
上海市
-
一级代理原装

深圳市讯运电子有限公司
TLV2462QDRG4Q1
TI(德州仪器)
SOIC-8
2022+
12000
上海市
-
原装可开发票

TLV2462QDRG4Q1 中文资料属性参数

标准包装：2,500
类别：集成电路 (IC)
家庭：Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps
系列：-
放大器类型：通用
电路数：2
输出类型：满摆幅
转换速率：1.6 V/µs
增益带宽积：6.4MHz
-3db带宽：-
电流 - 输入偏压：1.3nA
电压 - 输入偏移：150µV
电流 - 电源：550µA
电流 - 输出 / 通道：80mA
电压 - 电源，单路/双路(±)：2.7 V ~ 6 V，±1.35 V ~ 3 V
工作温度：-40°C ~ 125°C
安装类型：表面贴装
封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商设备封装：8-SOIC
包装：带卷 (TR)

产品特性

符合汽车类应用的要求
具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性：器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围器件 HBM ESD 分类等级 2器件 CDM ESD 分类等级 C6
器件温度 1 级：-40℃ 至 +125℃ 的环境运行温度范围
器件 HBM ESD 分类等级 2
器件 CDM ESD 分类等级 C6
ESD 保护超过 2000V（根据 MIL-STD-883 方法 3015）；超过 200V（使用机器放电模型，C = 200pF，R = 0）
轨至轨输出摆幅
增益带宽积：6.4MHz
输出驱动能力：±80mA
电源电流：500µA/通道
输入噪声电压：11nV/√Hz
压摆率：1.6V/µs
微功耗关断模式（TLV2460-Q1 和 TLV2463-Q1）：0.3µA/通道
通用运算放大器 EVM
提供单通道、双通道和四通道版本

产品概述

TLV246x-Q1 低功耗轨至轨输入/输出运算放大器系列中的器件专为 HEV/EV 和动力总成中的蓄电池管理系统以及车身和照明应用中的照明和车顶模块系统而设计。这些器件的输入共模电压范围在电源轨基础上向外扩展，从而在低电压系统中实现最大动态范围。放大器输出具有轨至轨性能以及高输出驱动能力，克服了旧式轨至轨输入/输出运算放大器的局限性。这种轨至轨动态范围和高输出驱动能力使得 TLV246x-Q1 非常适合缓冲模数转换器。此运算放大器具有 6.4MHz 的带宽和 1.6V/µs 的压摆率，且电源电流仅为 500µA，可在功耗极低的情况下提供良好的交流性能。器件具有可选的关断端子，通过此端子可将放大器置于超低电源电流模式（IDD = 0.3µA/通道）。关断时，运算放大器输出置于高阻抗状态。在直流应用经精心设计，具有 11nV/√Hz 的输入噪声电压和 100µV 的输入失调电压。

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TLV2462QDRG4Q1 电路图

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