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TK12A60U(Q)
MOSFET更新日期：2024-04-01 00:04:00
TK12A60U(Q)
MOSFET产品简介：MOSFET MOSFET DTMOS-II N-Ch 600V 12A
TK12A60U(Q) 中文资料属性参数
- 制造商：Toshiba
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：600 V
- 闸/源击穿电压：+/- 30 V
- 漏极连续电流：12 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.4 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-220SIS
- 封装：Tube
- 下降时间：8 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：35 W
- 上升时间：30 ns
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