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- 封装：TO-220-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：TRANS NPN 1A 80V HI PWR TO220AB
- 封装：TO-220-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
TIP29B 供应商
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- 说明
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Onsemi
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TO-220-3
23+ -
2000
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上海市
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全新原厂原装上海仓现货
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ON/ELNAF
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TO-220
1827+ -
3060
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上海市
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原装现货,精专配套,正品BOM表报价
TIP29B 中文资料属性参数
- 标准包装：50
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：1A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：80V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：700mV @ 125mA，1A
- 电流 - 集电极截止（最大）：300µA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：15 @ 1A，4V
- 功率 - 最大：2W
- 频率 - 转换：3MHz
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-220-3
- 供应商设备封装：TO-220AB
- 包装：管件
- 其它名称：TIP29BOS
TIP29B 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 TIP29B
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COMPLEMENTARY SILICON EPITAXIAL-BASE POWER TRANSISTORS |
1 Pages页,153K | 查看 |
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TIP29B
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POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON |
4 Pages页,153K | 查看 |
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TIP29B
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POWER TRANSISTORS(1.0A,40-100V,30W) |
3 Pages页,153K | 查看 |
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TIP29B
|
1 AMPERE POWER TRANSISTORS COMPLEMENTARY SILICON 80-100 VOLTS 30 WATTS |
4 Pages页,153K | 查看 |
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TIP29B
|
NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
6 Pages页,153K | 查看 |
|
TIP29B
|
NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
5 Pages页,153K | 查看 |
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TIP29B
|
General purpose Amplifier and Switching Applications |
2 Pages页,153K | 查看 |
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TIP29B
|
Medium Power Linear Switching Applications |
4 Pages页,153K | 查看 |
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TIP29B-BP
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TRANS NPN 80V 1A TO-220 |
3页,295K | 查看 |
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TIP29BG
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Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:80V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):15V; Power Dissipation, Pd:30W; DC Current Gain Min (hfe):15; Package/Case:3-TO-220 ;RoHS Compliant: Yes |
4页,64K | 查看 |