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- 封装：TO-218-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
更新日期：2024-05-09
产品简介：TRANS DARL NPN 10A 100V TO218AC
- 封装：TO-218-3
- RoHS：含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式：管件
TIP142 供应商
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TIP142
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TIP142T
热卖 -
isc/无锡固电半导体
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无锡
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国产品牌isc，33年生产工厂
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TIP142 中文资料属性参数
- 标准包装：30
- 类别：分离式半导体产品
- 家庭：晶体管(BJT) - 单路
- 系列：-
- 晶体管类型：NPN - 达林顿
- 电流 - 集电极 (Ic)（最大）：10A
- 电压 - 集电极发射极击穿（最大）：100V
- Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）：3V @ 40mA，10A
- 电流 - 集电极截止（最大）：2mA
- 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)：1000 @ 5A，4V
- 功率 - 最大：125W
- 频率 - 转换：-
- 安装类型：通孔
- 封装/外壳：TO-218-3
- 供应商设备封装：SOT-93
- 包装：管件
- 其它名称：TIP142OS
TIP142 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 TIP142
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DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
6 Pages页,147K | 查看 |
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TIP142
|
COMPLEMENTARY SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTORS |
4 Pages页,147K | 查看 |
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TIP142
|
POWER TRANSISTORS(10A,60-100V,125W) |
4 Pages页,147K | 查看 |
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TIP142
|
10 AMPERE DARLINGTON COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS |
6 Pages页,147K | 查看 |
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TIP142
|
NPN SILICON POWER DARLINGTONS |
6 Pages页,147K | 查看 |
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TIP142
|
NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR(HIGH DC CURRENT GAIN) |
2 Pages页,147K | 查看 |
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TIP142
|
Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors |
4 Pages页,147K | 查看 |
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TIP142F
|
TO-3P Fully Isolated Plastic Package Transistor CDIL |
2 Pages页,95K | 查看 |
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TIP142F
|
Monolithic Construction With Built In Base- Emitter Shunt Resistors |
4 Pages页,95K | 查看 |
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TIP142G
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Bipolar Transistor; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage, V(br)ceo:100V; Collector Emitter Saturation Voltage, Vce(sat):2V; Power Dissipation, Pd:125W; DC Current Gain Min (hfe):500; Package/Case:TO-218 ;RoHS Compliant: Yes |
7页,92K | 查看 |