您好,欢迎来到知芯网
  • 封装:6-VDFN 裸露焊盘
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$1.397

更新日期:2024-04-01

产品简介:50MHz 至 750MHz 级联放大器

查看详情
  • 封装:6-VDFN 裸露焊盘
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:带卷 (TR)
  • 参考价格:$1.397

THS9000DRWR 供应商

  • 公司
  • 型号
  • 品牌
  • 封装/批号
  • 数量
  • 地区
  • 日期
  • 说明
  • 询价

THS9000DRWR 中文资料属性参数

  • 产品培训模块:RFID Technology and Applications
  • 标准包装:3,000
  • 类别:RF/IF 和 RFID
  • 家庭:RF 放大器
  • 系列:-
  • 频率:50MHz ~ 400MHz
  • P1dB:20.6dBm(114.8mW)
  • 增益:15.9dB
  • 噪音数据:4dB
  • RF 型:手机,CDMA,TDMA,PCS
  • 电源电压:5.5 V
  • 电流 - 电源:100mA
  • 测试频率:350MHz
  • 封装/外壳:6-VDFN 裸露焊盘
  • 包装:带卷 (TR)
  • 配用:296-18860-ND - EVAL MODULE FOR THS9001296-18859-ND - EVAL MODULE FOR THS9000

产品特性

  • High Dynamic Range OIP3 = 36 dBm NF < 4.5 dB
  • OIP3 = 36 dBm
  • NF < 4.5 dB
  • Single-Supply Voltage
  • High Speed VS = 3 V to 5 V IS = Adjustable
  • VS = 3 V to 5 V
  • IS = Adjustable
  • Input/Output Impedance 50 Ω
  • 50 Ω

产品概述

The THS9000 is a medium power, cascadeable, gain block optimized for high IF frequencies. The amplifier incorporates internal impedance matching to 50 Ω. The part mounted on the standard EVM achieves greater than 15-dB input and output return loss from 50 MHz to 325 MHz with VS = 5 V, R(BIAS) = 237 Ω, L(COL) = 470 nH. Design requires only two dc-blocking capacitors, one power-supply bypass capacitor, one RF choke, and one bias resistor.

THS9000DRWR 电路图

THS9000DRWR 电路图

THS9000DRWR 电路图

IC 索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9