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TEPT5600DEVKIT

Phototransistors
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors Development Kit for TEPT5600
  • 参考价格：￥683.10-￥759.00

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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TEPT5600DEVKIT

Phototransistors

产品简介：Phototransistors Development Kit for TEPT5600

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors Development Kit for TEPT5600
  • 参考价格：￥683.10-￥759.00

TEPT5600DEVKIT 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：Phototransistors
  • 最大功率耗散：100 mW
  • 最大暗电流：50 nA
  • 封装 / 箱体：T-1 3/4
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：6 V
  • 最大工作温度：+ 85 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 类型：Chip

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