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TEMT1040

Phototransistors
  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors 5V 100mW 880nm
  • 参考价格：￥1.73-￥4.07

更新日期：2024-04-01

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TEMT1040

Phototransistors

产品简介：Phototransistors 5V 100mW 880nm

  • RoHS：
    • 镉（Cd）/镉化合物 0.01%
    • 六价隔（Cr6+）/六价隔化合物 0.10%
    • 铅（Pb）/铅化合物 0.10%
    • 汞（Hg）/汞化合物 0.10%
    • 多溴联苯(PBB)0.10%
    • 多溴联苯醚(PBDE)0.10% - 含十溴二苯醚(Deca-BDE) 0.10%
    说明：Photodetector Transistors 5V 100mW 880nm
  • 参考价格：￥1.73-￥4.07

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TEMT1040 中文资料属性参数

  • 制造商：Vishay
  • 产品种类：Phototransistors
  • 最大功率耗散：100 mW
  • 最大暗电流：200 nA
  • 封装 / 箱体：SMT-2
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：70 V
  • 集电极—射极饱和电压：0.3 V
  • 下降时间：2.3 us
  • 最大工作温度：+ 85 C
  • 最小工作温度：- 40 C
  • 封装：Bulk
  • 产品：Phototransistor
  • 上升时间：2 us
  • 工厂包装数量：1000
  • 类型：IR Chip
  • 波长：880 nm

TEMT1040 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
TEMT1040

Silicon Phototransistor

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