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  • 封装:8-DIP(0.300",7.62mm)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件

更新日期:2024-04-01

产品简介:IC DRIVER GATE IGBT/MOSFET 8DIP

  • 封装:8-DIP(0.300",7.62mm)
  • RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
  • 包装方式:管件

TD351IN 中文资料属性参数

  • 标准包装:1
  • 类别:集成电路 (IC)
  • 家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
  • 系列:-
  • 配置:高端
  • 输入类型:非反相
  • 延迟时间:2µs
  • 电流 - 峰:750mA
  • 配置数:1
  • 输出数:1
  • 高端电压 - 最大(自引导启动):-
  • 电源电压:12 V ~ 26 V
  • 工作温度:-40°C ~ 125°C
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:8-DIP(0.300",7.62mm)
  • 供应商设备封装:8-DIP
  • 包装:管件

TD351IN 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
TD351IN

Advanced IGBT/MOSFET Driver

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TD351IN

IC DRIVER GATE IGBT/MOSFET 8DIP

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