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SUB85N02-03
MOSFET更新日期：2024-04-01
SUB85N02-03
MOSFET产品简介：MOSFET 20V 85A 250W
SUB85N02-03 供应商
- 公司
- 型号
- 品牌
- 封装/批号
- 数量
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- 说明
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-
VISHAY
-
-
最新批号 -
6996
-
上海市
-
-
-
VISHAY/威世
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TO-263
21+ -
10000
-
杭州
-
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-
只做原装现货，大量现货热卖
SUB85N02-03 中文资料属性参数
- 制造商：Vishay
- 产品种类：MOSFET
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：20 V
- 闸/源击穿电压：+/- 8 V
- 漏极连续电流：85 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：3 mOhms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 175 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：TO-263-3
- 封装：Tube
- 下降时间：320 ns
- 最小工作温度：- 55 C
- 功率耗散：250 W
- 上升时间：200 ns
- 工厂包装数量：800
- 商标名：TrenchFET
- 典型关闭延迟时间：450 ns
SUB85N02-03 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 SUB85N02-03
|
N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
5 Pages页,67K | 查看 |
|
SUB85N02-03-E3
|
N-Channel 20-V (D-S) 175 Degree Celcious MOSFET |
5 Pages页,67K | 查看 |
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