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更新日期：2024-04-01
产品简介：MOSFET N-Ch 600 Volt 16 Amp
STW16NB60 供应商
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STW16NB60 中文资料属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：600 V
- 闸/源击穿电压：+/- 30 V
- 漏极连续电流：16 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.35 Ohms
- 配置：Single
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：Through Hole
- 封装 / 箱体：TO-247
- 封装：Tube
- 下降时间：12 ns
- 最小工作温度：- 65 C
- 功率耗散：220 W
- 上升时间：16 ns
- 工厂包装数量：30
STW16NB60 数据手册
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