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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：MOSFET
STS1NC60 中文资料属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 晶体管极性：N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：600 V
- 闸/源击穿电压：+/- 30 V
- 漏极连续电流：0.3 A
- 电阻汲极/源极 RDS（导通）：15 Ohms
- 配置：Single Quad Drain Triple Source
- 最大工作温度：+ 150 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 封装 / 箱体：SO-8
- 封装：Reel
- 下降时间：11 ns
- 最小工作温度：- 60 C
- 功率耗散：2.5 W
- 上升时间：8 ns
- 工厂包装数量：2500
STS1NC60 数据手册
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