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STP21N06L

STMicroelectronics MOSFET

更新日期：2024-04-01

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STP21N06L

STMicroelectronics MOSFET

产品简介：MOSFET REORD 511-STP20NE06L TO-220 N-CH 60V 21A

STP21N06L 供应商

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STP21N06L 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：60 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 15 V
  • 漏极连续电流：21 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.065 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 封装 / 箱体：TO-220
  • 下降时间：100 ns
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：80 W
  • 上升时间：370 ns
  • 工厂包装数量：50

STP21N06L 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STP21N06L

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

 10 Pages页,198K 查看
STP21N06LFI

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE LOW THRESHOLD POWER MOS TRANSISTOR

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