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STGW30NB60H

STMicroelectronics IGBT 晶体管

更新日期：2024-04-01 00:04:00

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STGW30NB60H

STMicroelectronics IGBT 晶体管

产品简介：IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 30 Amp

STGW30NB60H 供应商

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STGW30NB60H 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 产品种类：IGBT 晶体管
  • 配置：Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
  • 集电极—射极饱和电压：2.2 V
  • 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
  • 在25 C的连续集电极电流：60 A
  • 栅极—射极漏泄电流：100 nA
  • 功率耗散：190 W
  • 最大工作温度：+ 150 C
  • 封装 / 箱体：TO-247-3
  • 封装：Tube
  • 集电极最大连续电流 Ic：60 A
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 安装风格：Through Hole
  • 工厂包装数量：30

STGW30NB60H 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STGW30NB60H

N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT

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STGW30NB60HD

N-CHANNEL 30A - 600V TO-247 PowerMESH IGBT

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