- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.8645-$2.06
更新日期:2024-04-01 00:04:00
产品简介:IGBT N-CH 600V 20A TO-220
- 封装:TO-220-3
- RoHS:无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
- 包装方式:管件
- 参考价格:$0.8645-$2.06
STGP10NC60H 供应商
- 公司
- 型号
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- 封装/批号
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- 说明
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STMicroelectronics
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TO-220-3
23+ -
4000
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上海市
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ST
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全新原装
23+ -
5000
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苏州
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全新原装
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苏州
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ST
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最新批号 -
8800
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上海市
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ST
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TO-220
2318+ -
8200
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合肥
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只做进口原装现货
STGP10NC60H 中文资料属性参数
- 标准包装:1,000
- 类别:分离式半导体产品
- 家庭:IGBT - 单路
- 系列:PowerMESH™
- IGBT 类型:-
- 电压 - 集电极发射极击穿(最大):600V
- Vge, Ic时的最大Vce(开):2.5V @ 15V,5A
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大):20A
- 功率 - 最大:60W
- 输入类型:标准型
- 安装类型:通孔
- 封装/外壳:TO-220-3
- 供应商设备封装:TO-220AB
- 包装:管件
- 其它名称:497-5117-5
STGP10NC60H 数据手册
数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
---|---|---|---|
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N-CHANNEL 10A - 600V - TO-220 VERY FAST PowerMESH? IGBT |
9页,84K | 查看 |
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IGBT 600V 20A 60W Through Hole TO-220AB |
13页,327K | 查看 |
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IGBT, TO-220; Transistor Type:; DC Collector Current:20A; Collector Emitter Voltage Vces:2.5V; Power Dissipation Pd:65W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:600V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:TO-220; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Current Ic Continuous a Max:20A; Package / Case:TO-220; Power Dissipation Max:65W; Power Dissipation Pd:60W; Pulsed Current Icm:40A; Rise Time:5ns; Termination Type:Through Hole; Transistor Polarity:N Channel; Voltage Vces:600V |
15页,352K | 查看 |
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IGBT 600V 20A 65W Through Hole TO-220AB |
19页,767K | 查看 |
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