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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IGBT 晶体管 N-Ch 600 Volt 7 Amp
STGD7NB60H 中文资料属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 产品种类：IGBT 晶体管
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 集电极—射极饱和电压：2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 在25 C的连续集电极电流：7 A
- 栅极—射极漏泄电流：100 nA
- 功率耗散：55 W
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：TO-252-3
- 集电极最大连续电流 Ic：14 A
- 最小工作温度：- 65 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 工厂包装数量：3000
STGD7NB60H 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STGD7NB60H
|
N-CHANNEL 7A - 600V - DPAK PowerMESH⑩ IGBT |
9 Pages页,328K | 查看 |
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STGD7NB60H-1
|
N-CHANNEL 7A - 600V IPAK PowerMESH IGBT |
8 Pages页,87K | 查看 |
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