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更新日期：2024-04-01 00:04:00
产品简介：IGBT 晶体管 N-CH 600V 3A
STGD3NB60H 中文资料属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V
- 栅极/发射极最大电压：+/- 20 V
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：DPAK-3
- 集电极最大连续电流 Ic：6 A
- 最小工作温度：- 65 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 工厂包装数量：75
STGD3NB60H 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STGD3NB60H
|
N-CHANNEL 3A - 600V TO-252 PowerMESH IGBT |
8 Pages页,87K | 查看 |
|
STGD3NB60HD
|
N-CHANNEL 3A - 600V TO-252 PowerMESH IGBT |
10页,200K | 查看 |
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