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更新日期：2024-04-01
产品简介：IGBT 晶体管 N-Ch Clamped 20 Amp
STGB20NB32LZT4 中文资料属性参数
- 制造商：STMicroelectronics
- 配置：Single
- 集电极—发射极最大电压 VCEO：2 V
- 集电极—射极饱和电压：1.1 V
- 栅极/发射极最大电压：12 V
- 在25 C的连续集电极电流：40 A
- 栅极—射极漏泄电流：+/- 660 uA
- 功率耗散：150 W
- 最大工作温度：+ 150 C
- 封装 / 箱体：D2PAK-3
- 封装：Reel
- 集电极最大连续电流 Ic：40 A
- 最小工作温度：- 65 C
- 安装风格：SMD/SMT
- 工厂包装数量：1000
STGB20NB32LZT4 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STGB20NB32LZT4
|
11页,493K | 查看 |
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