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STD9N10

STMicroelectronics MOSFET

更新日期：2024-04-01 00:04:00

STD9N10

STMicroelectronics MOSFET

产品简介：MOSFET RO 511-STD10NF10 TO-252 N-CH 100V 9A

STD9N10 供应商

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STD9N10 中文资料属性参数

  • 制造商：STMicroelectronics
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：100 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
  • 漏极连续电流：9 A
  • 电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.23 Ohms
  • 配置：Single
  • 最大工作温度：+ 175 C
  • 安装风格：SMD/SMT
  • 封装 / 箱体：DPAK
  • 封装：Tube
  • 下降时间：25 ns
  • 正向跨导 gFS（最大值/最小值）：4 S
  • 最小工作温度：- 65 C
  • 功率耗散：45 W
  • 上升时间：40 ns
  • 工厂包装数量：75

STD9N10 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STD9N10

N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

 12 Pages页,130K 查看
STD9N10

N - CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTOR

 10 Pages页,130K 查看
STD9N10-1

N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

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STD9N10L

N - CHANNEL 100V - 0.22ohm - 9A IPAK/DPAK POWER MOS TRANSISTOR

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STD9N10T4

N-CHANNEL 100V - 0.23 ohm - 9A DPAK/IPAK POWER MOS TRANSISTOR

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