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  • 参考价格:RMB7.75-RMB7.80

更新日期:2024-04-01

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STD5NM50 供应商

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STD5NM50 中文资料属性参数

  • 典型接通延迟时间:16 ns
  • 典型栅极电荷@Vgs:13 nC V @ 10
  • 典型输入电容值@Vds:415 pF V @ 25
  • 安装类型:表面贴装
  • 宽度:6.2mm
  • 封装类型:DPAK
  • 尺寸:6.6 x 6.2 x 2.4mm
  • 引脚数目:3
  • 最低工作温度:-55 °C
  • 最大功率耗散:100000 mW
  • 最大栅源电压:±30 V
  • 最大漏源电压:500 V
  • 最大漏源电阻值:0.8
  • 最大连续漏极电流:7.5 A
  • 最高工作温度:+150 °C
  • 每片芯片元件数目:1
  • 类别:功率 MOSFET
  • 通道模式:增强
  • 通道类型:N
  • 配置:
  • 长度:6.6mm
  • 高度:2.4mm

STD5NM50 数据手册

数据手册 说明 数量 操作
STD5NM50

N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh⑩Power MOSFET

10 Pages页,464K 查看
STD5NM50-1

N-CHANNEL 500V - 0.7ohm - 7.5A DPAK/IPAK MDmesh⑩Power MOSFET

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