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更新日期：2024-04-01 00:04:00
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最新批号 -
6996
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上海市
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STD55NH2LL 中文资料属性参数
- 典型关断延迟时间：13 ns
- 典型接通延迟时间：15 ns
- 典型栅极电荷@Vgs：8.7 nC V @ 4.5
- 典型输入电容值@Vds：990 pF V @ 10
- 安装类型：表面贴装
- 宽度：6.2mm
- 封装类型：DPAK
- 尺寸：6.6 x 6.2 x 2.4mm
- 引脚数目：3
- 最低工作温度：-55 °C
- 最大功率耗散：60000 mW
- 最大栅源电压：±18 V
- 最大漏源电压：24 V
- 最大漏源电阻值：0.011
- 最大连续漏极电流：40 A
- 最高工作温度：+175 °C
- 每片芯片元件数目：1
- 类别：功率 MOSFET
- 通道模式：增强
- 通道类型：N
- 配置：单
- 长度：6.6mm
- 高度：2.4mm
STD55NH2LL 数据手册
| 数据手册 | 说明 | 数量 | 操作 |
|---|---|---|---|
 STD55NH2LL
|
N-CHANNEL 24V - 0.010 Ω - 40A DPAK/IPAK ULTRA LOW GATE CHARGE STripFET? POWER MOSFET |
12页,274K | 查看 |
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